Hur man kör en batteri elektrisk klocka på solenergi--del II (2 / 6 steg)

Steg 2: Faktiska styrkrets

Kretsen på första bilden ovan visar en mycket billig och enkel ändring av Zener diod kretsen beskrivs i föregående steg. Zener dioden har ersatts av en kedja av kisel dioder som kan vara liten signal eller likriktare typer - en diod "pruta bag" är en bra källa. Efter att ha passerat genom en tröskel framspänning droppa över en silicon diod ändras endast långsamt som strömmen genom den diod ökar ytterligare och vi kan utnyttja denna för att göra en rå styrkrets. Vår kedja av dioder matas från solcellerna via en 10 k motstånd och spänningen vid korsningen av motståndet och den övre dioden är cirka 2,7 volt. Denna spänning matas till basen på NPN-transistor som är i huvudsak en sändare efterföljare och för sådana system, spänningen på sändaren är 0,7 Volt mindre dvs runt 2 Volt som vi kan mata till vår super kondensator i säkerhet.

Vi kan addera eller subtrahera dioder för att höja eller sänka den tillverkade spänningen i ungefär 0.5 Volt steg, och höja 10k resistor till 22k eller ännu högre sänka den tillverkade spänningen lite för finjustering och även minska den quiescent strömmen ännu längre.

47 ohms motstånd i collector krets är icke kritiska och helt enkelt begränsar de potentiellt skadliga nuvarande när du har en tom super kondensator och en solcellspaneler i starkt solljus.

Krets produktionen av både fyra och fem diod kretsar för foder spänningar upp till 12 volt visas i andra och tredje bilden ovan. Detta visar tillräcklig kontroll och en fem diod krets kan vara lämpligt för en sex Volt solcellspaneler och en fyra diod krets för en tolv Volt solcellspaneler.

Fjärde bilden visar en fem diod krets på ett bakbord laddning en konventionell 1000uF elektrolytisk kondensator från en tolv Volt källa. Det är en bra idé faktiskt nästan obligatoriskt att prova din krets på en skärbräda med en normal elektrolytisk kondensator innan att riskera din super kondensator.

(Som en parentes vill tillgripa joule Observera att denna laddningskretsen kan användas för laddning säkert super kondensatorer från matriser av platta celler eller även matriser av experimentella. För denna situation en viktig fördel av denna laddningskretsen är att en gång super kondensatorn når högsta avgiften den nuvarande stannar och i mörker avgiften inte kan läcka tillbaka eftersom den blockeras av base/emitterdioden av transistorn och den enda makten avlopp är ner genom R1 och kisel diod kedjan. Ytterligare förstärkning skulle vara att göra R1 högre eller ens ersätta transistorn med Darlington par då R1 kan vara mycket högre och resterande strömmen av kretsen skulle vara mikro ampere.)