LASER-diod drivrutin (1 / 11 steg)

Steg 1: Principen om arbetet i LD föraren

A 5 V referensspänningen är skapad av Zenner dioden D2 och resistorn R4. Denna spänning filtreras genom användning av kondensatorn C2 och tillämpas till ingången på opamp ansluten som buffert. Bufferten är laddad med trimmern potentiometer kopplad till marken. På detta sätt på sin mellersta terminal kan spänningen variera mellan 0 och referensspänningen. Den andra opamp tillsammans med power NMOS transistorn arbetar som spänning till nuvarande converter - källa spänning transistorn är identisk med den andra opamp ingående spänning. Denna spänning visas aktuella definierande motståndet R5. Den genererade nuvarande är Igen = Vin/R5, där Vin är spänningsfallet över R5 och även de andra opamp ingående spänning. Jag har använt 5V Zenner diod och 10 ohms R5 motstånd - den högsta möjliga genererade strömmen är 500 mA. Om det behövs högre ström, antingen referensspänningen bör ökas, antingen värdet av R5 skall minskas. Eftersom hög ström kan flöda genom NMOS transistorn, måste det vara tillräckligt starka för att upprätthålla den.
Kraften alstras av R5 måste skingras också ordentligt. I mitt fall är maximal effekt genereras av R5 2.5W - 5V * 0.5a. Jag har använt 5 W motstånd. Resitor R3 är valfritt. I vissa fall R1 också. R2 och C1 används för att skydda den laser-dioden från vissa spänningstoppar.
Några ord om den använda opamp och NMOS transistorn:
NMOS effekttransistor har normalt en stor arbetsplats, vad i de flesta fall förutsätter stora ingång kapacitans. För vissa enheter kan nå några dussintals nanofarades. Denna kapacitans visas som kapacitiv belastning för opamp. Opamp måste kunna driva sådan typ av stor kapacitiv belastning, utan att förlora sin stabilitet. Vissa opamps kompenseras för liknande massor, men gott om standard opamps kommer att svänga. Du måste noga kolla i båda datablad (av opamp och NMOS), vad är gate kapacitans av power NMOS transistorn och opamp stabilt med denna belastning. I vissa fall även opamp är inte stabil med specifika NMOS transistorn som lasten, stabiliteten kan förbättras drastiskt genom att "isolera" belastningen från opamp utgång genom användning av enkel motstånd. Detta i scheman är funktionen av R1. Om du har problem med stabiliteten, kan du spela med värdet av R1 och att försöka uppnå stabil drift.
LD är ansluten vid JP1, den pwer leveransen på JP2.